院士出生地
吴汉明院士，1952年6月出生于江苏常州武进。
武进现为江苏省常州市所辖的一个行政区，它地处江苏省南部，常州市东部，内抱常州市区，东与无锡市滨湖区、江阴市接壤，南与无锡市宜兴市毗连，西与常州市金坛区、镇江市丹阳市相邻。
武进历史悠久，5000多年前就有人类定居在这里，新石器时代形成原始村落。
春秋时期，这里称延陵邑，是吴国季札封地，淹城是保存完整的西周至春秋早期地面城池遗址。
秦置延陵县，汉改称毗陵县、毗坛县。
三国吴嘉禾三年（234年），孙权取“以武为进”之意，将丹徒改名武进。晋太康二年（281年）置武进县。
南朝宋、齐、梁、陈时，武进县隶属多有变化。
隋开皇九年（589年），兰陵县并入曲阿县。
唐武德三年复置武进县。
宋承唐制，元至元十四年，常州升为路，武进属常州路。
明泰昌元年，常州府改称尝州府，清顺治二年复为常州府。
雍正四年（1726年），武进县分东部置阳湖县。
宣统三年（1911年），阳湖县并入武进县。
1949年4月23日，武进解放，县城析出建立常州市。
1995年撤县设市，2002年撤市设区，2015年撤销常州市武进区和戚墅堰区，设立新的武进区。
武进人文底蕴深厚，它是吴文化发源地之一，拥有国家级非物质文化遗产常州象牙浅刻，省级非物质文化遗产调犟牛，还有国家级文物保护单位春秋淹城遗址与京杭大运河。
武进的建筑风格融合了江南水乡的特色，多为白墙黑瓦、飞檐翘角的传统民居，如杨桥古镇等，古建筑与河流、桥梁相互映衬，形成了独特的水乡风貌。
武进有丰富的民俗文化活动，如淹城民俗文化节等，期间会举行舞龙舞狮、踩高跷、荡湖船等传统民俗表演，还有庙会、灯会等活动，热闹非凡。
武进名人辈出，萧道成，南朝齐国的开国皇帝，武进人。
他出身于兰陵萧氏，在刘宋末年掌握朝政大权，后废宋顺帝，建立南齐，在位期间推行了一系列改革措施，对南朝政治、经济和文化的发展产生了重要影响。
盛宣怀，清末官员、洋务派代表人物，出生于武进。
他参与或主持创办了轮船招商局、中国电报总局、北洋大学堂等近代新兴事业，对中国近代化进程起到了推动作用。
出生地解码
江苏常州武进对吴汉明院士的成长和成就有着多方面的深远影响。
武进是吴文化的发源地之一，有着5000多年的历史，先后诞生了19位帝王、9名状元和1546名进士，有着深厚的文化底蕴和浓厚的学术氛围。这种文化传承和学术传统，可能在潜移默化中激发了吴汉明对知识的渴望和对学术成就的追求，激励着他在学术道路上不断探索和进取。
武进区重视教育，拥有较为优质的教育资源。
在吴汉明的成长过程中，当地的学校和教育机构，为他提供了良好的学习环境和教育条件，帮助他打下了坚实的知识基础。
同时，丰富的教育资源也可能让他有机会接触到前沿的学术信息和优秀的教师，从而得到更好的指导和培养。
武进区拥有以电子等为主导的工业体系。
这样的产业环境使他从小就有更多机会接触到电子相关产业，对集成电路等领域产生兴趣。
在他后来的研究工作中，当地的产业需求也可能为他的科研提供了方向和动力，促使他致力于解决芯片制造等方面的技术难题，为当地乃至国家的产业发展做出贡献。
常州人通常具有勤奋、务实、创新的性格特点。
在这样的地域文化环境中成长，吴汉明可能深受其影响，养成了脚踏实地、刻苦钻研的工作作风，以及勇于创新、敢于突破的精神品质，这些性格特点对他在科研领域取得成就起到了重要作用。
院士求学之路
1976年，吴汉明从中国科学技术大学毕业。
1978年，吴汉明成为“文革”后第一批硕士研究生。
1987年，吴汉明从中国科学院力学研究所毕业，获得等离子体和磁流体力学博士学位。
博士毕业后，吴汉明先到美国得克萨斯大学奥斯汀分校和加利福尼亚大学伯克利分校进行博士后研究，同时在加州诺发公司和英特尔公司任高级研发工程师。
求学之路解码
中国科学技术大学以理工科见长，注重基础学科教育。
吴汉明在此系统学习数学、物理等基础课程，培养了严密的逻辑思维与科学方法论。
这为他日后涉足集成电路制造这一高度依赖物理原理（如等离子体物理、热力学）的领域，提供了底层知识支撑。
例如：芯片制造中的刻蚀、沉积工艺，本质上是等离子体与材料相互作用的物理过程，扎实的数理基础使其能快速理解技术底层逻辑。
吴汉明在中科院力学所攻读博士研究生，他聚焦等离子体与磁流体力学。
他选择等离子体物理作为研究方向，看似与芯片制造关联较远，实则为其打开了跨学科视角。
等离子体技术是半导体制造中刻蚀、薄膜沉积等关键工艺的核心（如干法刻蚀需利用等离子体电离气体实现材料刻蚀）。
这一阶段的研究，让他提前掌握了芯片制造核心环节的底层技术原理，成为后来解决工程问题的“学术武器”。
吴汉明作为恢复高考后的首批研究生，他获得了稀缺的深造机会。
此时中国科技界百废待兴，他敏锐选择前沿的等离子体物理方向，避免了在传统学科中的内卷，为后续切入半导体这一新兴领域埋下伏笔。
20世纪70-80年代，全球半导体产业正从分立器件向集成电路转型，等离子体技术逐渐成为芯片制造的核心工艺，其研究方向与产业趋势高度契合。
吴汉明的等离子体研究虽未直接服务于芯片制造，却在国家日后发展半导体时，成为稀缺的“跨学科人才”——既能理解物理原理，又具备工程转化潜力。
这种“超前储备”使其在90年代后半导体产业崛起时，迅速成为关键技术攻关的领军者。
吴汉明的海外博士后研究，让他接触到国际前沿技术
在美国得州大学奥斯汀分校和伯克利分校的研究经历，让他接触到全球顶尖的等离子体物理实验室。
他了解到国际学术界在半导体相关领域的最新成果（如新型刻蚀技术、薄膜沉积机理）。
这种学术交流使其研究始终站在技术前沿，避免闭门造车。
吴汉明求学的数理基础→等离子体物理→半导体工艺的知识链条，使他能以“系统思维”看待芯片制造难题。
例如，在解决刻蚀均匀性问题时，他既能从等离子体密度分布的物理模型出发分析，也能结合设备工程参数进行优化。
这种“上下打通”的能力是单一学科背景研究者难以具备的。
基于求学阶段他对国际技术动态的跟踪，早在2000年代，他就意识到“摩尔定律”演进对先进制程设备的严苛要求，以及国产设备自主化的紧迫性。
这种预判使其在国家集成电路重大专项中，能够精准布局光刻机、刻蚀机等“卡脖子”领域，推动技术攻关从“跟跑”向“并跑”跨越。
吴汉明求学路径中的跨学科经验，影响了后续学术团队的培养方向。
例如，他在指导学生时，强调“理科基础+工程实践”的复合能力，培养出一批既懂物理原理、又能解决产线实际问题的复合型人才，为中国半导体产业储备了关键技术力量。
总的来说，吴汉明的求学轨迹并非线性的“专业对口”，而是通过基础学科打底、前沿方向卡位、国际视野加持，构建了独特的“技术基因”。
院士从业之路
1993年，吴汉明归国后晋在中国科学院力学研究所工作。
1994年，吴汉明被破格提升为研究员。
1995年，吴汉明到美国阿拉巴马一家公司工作，两年便研发出世界第一套可商业化的等离子体工艺模拟的软件。
1999年，吴汉明加盟英特尔，成为主任工程师。
2001年，吴汉明进入中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，担任技术总监。
2019年11月22日，吴汉明当选中国工程院院士。
2020年11月6日，吴汉明受聘为湖北大学微电子学院名誉院长。2
2024年1月，吴汉明担任浙江大学集成电路学院院长。
从业之路解码
吴汉明院士的从业经历丰富且成果丰硕，对他后来成为院士有着多方面的重要影响。
吴汉明归国后在中科院力学所工作，很快破格提升为研究员。
在力学所的工作经历，不仅为他提供了稳定的科研环境和资源支持，使他能够深入开展相关研究，也让他在国内科研界崭露头角，树立了良好的学术声誉，为后续的科研合作和项目开展奠定了基础。
吴汉明在美国阿拉巴马公司工作期间，他研发出世界第一套可商业化的等离子体工艺模拟软件。
这一成果展示了他卓越的科研能力和创新精神，使他在国际上获得了广泛关注，提升了他在相关领域的知名度和影响力，为他积累了宝贵的技术资本和国际合作经验。
吴汉明加盟英特尔担任主任工程师，英特尔作为全球半导体行业的领军企业，拥有最先进的技术和管理理念。在英特尔工作，让吴汉明有机会接触到世界顶级的芯片制造技术和工艺，深入了解行业前沿动态和发展趋势，同时也学习到了先进的企业管理经验，为他回国后推动国内集成电路产业发展提供了借鉴。
吴汉明进入中芯国际，担任技术总监等职务。
他在中芯国际组建了先进刻蚀技术工艺部，领导了0.13微米刻蚀工艺，在中国实现了用于大生产的双镶嵌法制备工艺，为中国首次实现铜互连提供了工艺基础。
他还主持和参与了多项国家重大专项，推动了中国130 - 22纳米工艺技术研发，带领中芯国际在芯片制造技术上取得了重大突破，使中国芯片制造水平逐步缩小与国际先进水平的差距，为中国集成电路产业发展做出了卓越贡献。
吴汉明受聘为湖北大学微电子学院名誉院长，后来又担任浙江大学集成电路学院院长。
他将自己丰富的实践经验和前沿的学术理念融入到教学和学科建设中，为培养集成电路领域的专业人才贡献力量，推动相关学科的发展，也进一步提升了他在教育和学术领域的影响力，促进了产学研的深度融合。
总的来说，吴汉明院士在不同工作阶段的积累和成就，为他后来当选中国工程院院士奠定了坚实的基础。
后记
吴汉明院士出生地、求学之路和从业之路，对他后来成为院士产生了重大的影响。
吴汉明院士的出生地出生地江苏武进有着重视教育、崇尚科学的文化传统，在潜移默化中培养了吴汉明对知识的渴望和追求卓越的精神，为他日后的发展奠定了文化基础。
求学之路上，吴汉明毕业于中国科学技术大学，后在中国科学院力学研究所获得博士学位，并在美国进行博士后研究。
这段经历让他打下了坚实的学术基础，让他接触到国际前沿科研成果和先进研究方法，拓宽了他的学术视野，培养了他的创新能力和科研思维。
从业之路上，他在国内外多家知名科研机构和企业工作，积累了丰富的实践经验，在等离子体工艺模拟软件研发、芯片刻蚀工艺等方面取得重大成果，推动了我国集成电路产业发展，这些成就为他当选院士提供了有力支撑。
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